超高场MRI线圈损耗量化助力信噪比优化

一项发表于bioRxiv的预印本研究量化了超高场（UHF）MRI接收线圈中的寄生损耗，并分析了其导致实验信噪比（SNR）与理论极限值（uiSNR）之间差异的原因。研究者在3T、7T和10.5T场强下测量了商业和自制阵列的SNR，通过空载与负载品质因数比（QR）量化损耗，并结合单线圈电磁仿真分离出不同损耗来源。结果显示，寄生损耗在高场下显著增加，是限制SNR提升的关键因素。该发现为设计更接近终极理论SNR的接收阵列提供了重要指导，但需注意本研究尚未经过同行评审。