硅晶体管实现单片三维集成
一种低温滚转移印刷技术实现晶圆级硅纳米膜垂直堆叠，推动高性能三维芯片发展。
《自然》发表的一项研究报道了一种单片三维集成硅晶体管的新方法。研究者利用滚转移印刷工艺，在低温下将均匀掺杂的超薄单晶硅纳米膜垂直堆叠，解决了传统三维集成中热预算和晶格失配的问题。该工艺可扩展至晶圆级，并容忍衬底拓扑和表面粗糙度，实现了高性能单片三维集成电路。这一技术为延续摩尔定律提供了新路径，有望用于高密度存储器和逻辑芯片。
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BioDir 一种低温滚转移印刷技术实现晶圆级硅纳米膜垂直堆叠，推动高性能三维芯片发展。
《自然》发表的一项研究报道了一种单片三维集成硅晶体管的新方法。研究者利用滚转移印刷工艺，在低温下将均匀掺杂的超薄单晶硅纳米膜垂直堆叠，解决了传统三维集成中热预算和晶格失配的问题。该工艺可扩展至晶圆级，并容忍衬底拓扑和表面粗糙度，实现了高性能单片三维集成电路。这一技术为延续摩尔定律提供了新路径，有望用于高密度存储器和逻辑芯片。